各投标
11) *颗粒控制<20 @0.5um
12) *Wafer材质兼容Si，EMC，bonding等
13) *Boat可旋转
14) *设备在先进封装领域（WLCSP/Bumping/2.5D/3D封装）具有量产经验，装机量≥2台
15) 具备快速降温能力”
修改为：
三、设备技术指标
PI Curing炉要求能够达到如下性能指标：
1）*适用200mm notch晶圆工艺，可cover晶圆厚度400~2000um
2）*支持wafer翘曲度≤±3mm
3）*温度控制精度：±1℃（150℃~600℃）
4）*Process chamber含氧量控制：≤10ppm
5）*需配备Gas管路: O2，N2
6）*Batch size ≥75片
7）*MTBF大于250小时，uptime ≥90%
8）*Wafer Breakage Rate≤1/10000pcs
9) *Wafer材质兼容Si，EMC，bonding等。
10) *颗粒控制<20 @0.5um
11) *Wafer材质兼容Si，EMC，bonding等
12) *设备在先进封装领域（WLCSP/Bumping/2.5D/3D封装）具有量产经验，装机量≥2台
13) 具备快速降温能力
3、
未在中国电力招标采购网（www.dlztb.com）上注册会员的单位应先点击注册。登录成功后的在 招标会员 区根据招标公告的相应说明获取招标文件！
咨询电话：010-51957458
手 机：18811547188
联系人：李杨
QQ:1211306049
微信：Li18811547188
邮箱：1211306049@qq.com
来源：中国电力招标采购网
备注：欲购买招标文件的潜在投标人,注册网站并缴纳因特网技术及商务信息服务费后，查看项目业主，招标公告并下载资格预审范围，资质要求，
招标清单，报名申请表等。为保证您能够顺利投标，具体要求及购买标书操作流程按会员区招标信息详细内容为准。
编辑：mofcom