| 序号 |
设备名称 |
主要技术指标要求 |
国别 |
数量（台） |
采购方式 |
| 1 |
蒸发镀膜机 |
·极限真空度：≤5.0E-5Pa·高压双电子枪最高电压：≥10kV·加热性能：200℃±10℃，最高300℃·镀膜种类：Au、Sn、Cu·镀膜均匀性：≤±5%·兼容基片尺寸：兼容6寸及以下基片 |
进口 |
1 |
公开招标 |
| 2 |
离子束刻蚀机 |
·能够刻蚀金属材料：Au、TiW、Ni·离子源类型：射频离子源·离子源口径：≥Φ22cm·极限真空度：≤6.7E-5Pa·刻蚀均匀性：≤±5%；·兼容基片尺寸：兼容6寸及以下基片 |
国产 |
1 |
询比或公开招标 |
| 3 |
电容外观筛选机 |
·适用产品规格：0202/0303（单层芯片电容）、0202～0707（硅电容）、0303～0707（多层芯片电容）、0503/0706（单层芯片电容）·UPH:≥2kpcs/h·视觉检测精度：≤±5μm·摆盘入料率：≥96% |
国产 |
4 |
公开招标 |
| 4 |
多层芯片电容老化系统 |
·兼容尺寸规格：0303、0505、0707·系统容量：≥9600只·加载电压及精度范围：0～300V/±（1%+200mV）·温度范围及精度：常温～125℃/±3℃·漏电流监控范围及精度：0～250μA/±2%FS·工装夹具的绝缘性及可检测绝缘电阻的数量级≥1×1012Ω，可进行常温和高温绝缘测试 |
国产 |
1 |
询比采购 |
| 5 |
网带式气氛烧结炉 |
·有效装载尺寸：宽度300 mm以上，高度50mm以上·温区数量：不少于24温区，加热区长度10米以上·网带速度：200～600ｍｍ／Hr·使用温度：最高温度1000℃，常用温度900～950℃·控制精度：±1℃·温度均匀性：±3℃·烧结气氛：氮气置换，氧含量10ppm以下，配备氧含量分析仪；水汽加湿，露点范围25℃～80℃，配备露点分析仪 |
进口 |
1 |
公开招标 |
| 6 |
直写光刻机 |
·最大曝光面积：≤（200×200）mm2·最小线宽解析：≤0.6um·线宽均匀性[3σ,nm]：≤150·套刻对准精度[3σ,nm]：≤500·产速@最小线宽解析：≥200mm2/min·具备光掩膜板制备功能·数据输入格式：支持多种文件格式 |
国产 |
1 |
询比采购 |
| 7 |
温补衰减器电性能外观一体机 |
·测试频率范围：100MHz～3GHz·衰减量测试精度：±0.1dB@1GHz·衰减量测试重复精度：±0.1dB@1GHz·阻值测试精度：±0.3Ω·阻值重复精度：±0.1Ω·微波性能测试效率：≥1200pcs/h·R2阻值测试效率：≥1500pcs/h·六面外观检查·具备型号可扩展性 |
国产 |
1 |
询比采购 |
| 8 |
磁控溅射镀膜机 |
·溅射方式：连续式镀膜系统·极限真空度：≤8.0×10-5Pa·直流电源最大功率：≥3000W·溅射不均匀性：≤±5%·配备信息化接口 |
进口 |
1 |
公开招标 |
| 9 |
端导磁控溅射机 |
·靶位数量：≥2个·极限真空度：≤8.0×10-4Pa·最大功率：≥5000W·溅射不均匀性：≤±5%·对于工装尺寸为93mm×73mm×11mm的治具，每炉样品数量：≥60个·配备信息化接口 |
国产 |
1 |
公开招标 |
| 10 |
双离子束溅射机 |
·极限真空度：≤8×10-5Pa·溅射离子源最大能量：≥1500eV·溅射离子最大束流：≥300mA·工艺气路：Ar、N2、O2·溅射不均匀性：≤±5% |
国产 |
1 |
公开招标 |
| 11 |
流延机 |
·流延宽度：流延后分切成2卷8英寸收卷·流延厚度：20～500μm·流延精度：（20~50）μm，≤±1μm；（51~100）μm，≤±1.5μm；（101~500）μm，≤±2%·干燥炉长度：18～20m·干燥炉温度：最高120℃·横向温度均匀性：±3℃·流延速度：0.1～3.0m/min·EPC纠偏，电子张力控制，数控调整流延刀高 |
进口 |
1 |
公开招标 |
| 12 |
全自动涂银机 |
·适用的电阻条长度：60mm和50mm·涂银最大压力：≥2kg且压力可调·烘干炉上限温度：≥180℃ |
国产 |
1 |
询比采购 |
